خانه » پروژه » فناوری اطلاعات » پروژه نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات
پروژه نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات

پروژه نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات

پروژه نحوه عملکرد ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی

مقدمه :

در این پروژه به بررسی انواع حافظه‌ها ، چگونگی عملکرد دیسک‌ها و نیز نحوه ی ضبط اطلاعات بر روی آنها و به طور کل ضبط روی مواد مغناطیسی می‌پردازیم.هنگامی که اطلاعات بر روی یک به اصطلاح واسطه ذخیره یا ضبط می‌گردند (در اشکال متفاوت ضبط مغناطیسی) ، در می‌یابیم همواره چه در زمان گذشته و چه در زمان حال این فن آوری بوده است که بر صنعت تسلط داشته است. ذرات مغناطیسی با لایه‌های نازک دارای کورسیوتیه چند صد. … هستند و به آسانی قادر به حفظ یک الگوی مغناطیسی از اطلاعات ثبت شده ( در چگالی ده‌ها هزار بیتی ) برای صد‌ها سال بوده و با این حال هنگامی که مطلوب باشد، الگو با نوشتن اطلاعات جدید بر روی قدیم به سادگی قابل تغییر می‌باشد.از آنجایی که فرآیند ضبط مستلزم یک تغییر در جهت استپین‌های الکترون است ، فرآیند به طور نا محدود معکوس پذیر است و اطلاعات جدید ممکن است فوراً بدون هیچ فرآیندی توسعه لازم را داشته باشد. این مقاله با توسعه خواص مغناطیسی مواد ضبط می‌پردازد که از ۱۹۷۵ رخ داده اند.قدیمی ترین مواد ضبط مغناطیسی عبارت بودند از سیم‌های فولاد زنگ نزن[۱] ۱۲% نیکل و ۱۲% کروم ، که طوری آبکاری آنیلینگ شده بودند که ذرات تک حوزه از فاز مزیتی در یک شبکه آستنیت رسوب می‌کردند. پسماند زدایی تا Oe300-200 به این طریق به آسانی به دست می‌آید. در شکل عملی ، فایده سیم‌ها را می‌توان محدود کرد. سیم‌ها طوری تابیده می‌شوند که نواحی از سیم که در حین ضبط کردن با هد در ارتباط است. لزوماً در عمل خواندن ، نواحی نیست که به هد مماس می‌شود ، ثانیاً سیم‌ها به آسانی می‌شکستند و فقط توسط گره زدن می‌شد آنها را ترمیم کرد.

فهرست مطالب

عنوان

چکیده

مقدمه

فصل اول ) نانوتکنولوژی :

آغاز نانوتکنولوژی

نانوتکنولوژی از دیدگاه جامعه شناختی

نانوتکنولوژی و میکرو الکترونیک

فنآوری نانو و فیزیک الکترونیک

فصل دوم ) الکترونیک مغناطیسی

۲-۱- پیش گفتار

۲-۲- انتقال وابسته به اسپین

۲-۳- اصول اولیه

۲-۴- ثبت مغناطیسی

۲-۵- حافظه‌های غیر فرار

۲-۶- کاربردهای آتی

فصل سوم ) مقاومت مغناطیسی و الکترونیک اسپینی

۳-۱- پیش گفتار

۳-۲- مقدمه

۳-۳- مقاومت مغناطیسی عظیم (GMR)

۳-۴- معکوس مغناطیسی سازی با تزریق اسپینی

۳-۵- مقاومت مغناطیسی تونل زنی (TMR)

فصل چهارم ) حافظه دسترسی اتفاقی (RAM):

۴-۱- مبانی اصول اولیه

۴-۲- مرور کلی

۴-۳- پیشرفت‌های اخیر

۴-۴- جداره حافظه

۴-۵- حافظه دسترسی اتفاقی Shodow

۴-۶- بسته بندی DRAM

فصل پنجم ) حافظه با دسترسی اتفاقی مغناطیسی (MRAM):

۵-۱- مشخصات کلی

۵-۲- مقایسه با سایر سیستم‌ها

۵-۲: الف) چگالی اطلاعات

۵-۲: ب) مصرف برق

۵-۲: ج) سرعت

۵-۳- کلیات

۵-۴- تاریخ ساخت حافظه‌ها

۵-۵- کاربردها

فصل ششم ) حافظه فقط خواندنی (ROM):

۶-۱- تاریخچه

۶-۲- کاربرد ROM برای ذخیره سازی برنامه

۶-۳- حافظه ROM برای ذخیره سازی داده‌ها

۶-۴- سایر تکنولوژی‌ها

۶-۵- مثال‌های تاریخی

۶-۶- سرعت حافظه‌های ROM

۶-۶: الف) سرعت خواندن

۶-۶: ب) سرعت نوشتن

۶-۷- استقامت و حفظ اطلاعات

۶-۸- تصاویر ROM

فصل هفتم ) ضبط کردن مغناطیسی :

۷-۱- تاریخچه و سابقه ضبط کردن مغناطیسی

فصل هشتم ) مواد برای واسطه‌های ضبط مغناطیسی :

۸-۱- اکسید فریک گاما

۸-۲- دی اکسد کروم

۸-۳ اکسید فزیک گاما تعدیل شده به واسطه سطح کبالت

فصل نهم ) دیسک‌های مغناطیسی :

۹-۱- سازماندهی دیسک‌ها

۹-۲- برآورد ظرفیت‌ها و فضای مورد نیاز

۹-۳- تنگنای دیسک

۹-۴- فری مغناطیس

فصل دهم ) نوار‌های مغناطیسی :

۱۰-۱- کاربرد نوار مغناطیسی

۱۰-۲- مقایسه دیسک و نوار مغناطیسی

فصل یازدهم) فلاپی دیسک :

۱۱-۱- مبانی فلاپی درایو

۱۱-۲- اجزای یک فلاپی دیسک درایو

۱۱-۲: الف ) دیسک

۱۱-۲: ب) درایو

۱۱-۳ نوشتن اطلاعات بر روی یک فلاپی دیسک

فصل دوازدهم )‌هارد دیسک چگونه کار می‌کند :

۱۲-۱- اساس‌هارد دیسک

۱۲-۲- نوار کاست در برابر‌هارد دیسک

۱۲-۳- ظرفیت و توان اجرایی

۱۲-۴- ذخیره اطلاعات

فصل سیزدهم ) فرآیند ضبط کردن و کاربردهای ضبط مغناطیسی :

۱۳-۱ هدف‌های ضبط

۱۳-۲- کارآیی هد نوشتن

۱۳-۳- فرآیند هد نوشتن

۱۳-۴- فرآیند خواندن

نتیجه گیری و پیشنهادات

پیوست الف )

منابع و مآخذ

چکیده :

در سال‌های اخیر بعد از کشف TMR , GMR در چند لایه‌های مغناطیسی علاقه شدیدی به گسترش این موضوع در بین محققین به وجود آمد.

در این اثر علاوه بر درجه آزادی از اسپین آن نیز استفاده شده است. با پیشرفت این تحقیقات ، کاربرد وسیع آن در ادوات ذخیره کننده اطلاعات دیجیتالی مشخص شد. این پدیده‌های اسپینی به سرعت به اجراء در آمده‌اند، مخصوصاً از بعد از سال ۱۹۸۸ پس از مشاهده نخستین GMR.

کلمات کلیدی در این پروژه ، حافظه‌های غیر فرار ، مقاومت مغناطیسی عظیم و مقاومت مغناطیسی تونل زنی ، ROM , MRAM , PAM ، دیسک‌های مغناطیسی و Shodow RAM و. .. می‌باشد.

مقدمه :

در این پروژه به بررسی انواع حافظه‌ها ، چگونگی عملکرد دیسک‌ها و نیز نحوه ی ضبط اطلاعات بر روی آنها و به طور کل ضبط روی مواد مغناطیسی می‌پردازیم.

هنگامی که اطلاعات بر روی یک به اصطلاح واسطه ذخیره یا ضبط می‌گردند (در اشکال متفاوت ضبط مغناطیسی) ، در می‌یابیم همواره چه در زمان گذشته و چه در زمان حال این فن آوری بوده است که بر صنعت تسلط داشته است. ذرات مغناطیسی با لایه‌های نازک دارای کورسیوتیه چند صد. … هستند و به آسانی قادر به حفظ یک الگوی مغناطیسی از اطلاعات ثبت شده ( در چگالی ده‌ها هزار بیتی ) برای صد‌ها سال بوده و با این حال هنگامی که مطلوب باشد، الگو با نوشتن اطلاعات جدید بر روی قدیم به سادگی قابل تغییر می‌باشد.

از آنجایی که فرآیند ضبط مستلزم یک تغییر در جهت استپین‌های الکترون است ، فرآیند به طور نا محدود معکوس پذیر است و اطلاعات جدید ممکن است فوراً بدون هیچ فرآیندی توسعه لازم را داشته باشد. این مقاله با توسعه خواص مغناطیسی مواد ضبط می‌پردازد که از ۱۹۷۵ رخ داده اند.

قدیمی ترین مواد ضبط مغناطیسی عبارت بودند از سیم‌های فولاد زنگ نزن[۱] ۱۲% نیکل و ۱۲% کروم ، که طوری آبکاری آنیلینگ شده بودند که ذرات تک حوزه از فاز مزیتی در یک شبکه آستنیت رسوب می‌کردند. پسماند زدایی تا Oe300-200 به این طریق به آسانی به دست می‌آید. در شکل عملی ، فایده سیم‌ها را می‌توان محدود کرد. سیم‌ها طوری تابیده می‌شوند که نواحی از سیم که در حین ضبط کردن با هد در ارتباط است. لزوماً در عمل خواندن ، نواحی نیست که به هد مماس می‌شود ، ثانیاً سیم‌ها به آسانی می‌شکستند و فقط توسط گره زدن می‌شد آنها را ترمیم کرد.

به همین دلایل سیم‌ها در دهه‌های ۱۹۴۰ و ۱۹۵۰ با نوار‌های وصله جایگزین شدند که با ذرات دارای ترکیب مصنوعی ۷-Fe2O3 تک حوزه – (تک کاربرد) بودند. دیسک‌های مغناطیسی این ذرات را استفاده کردند تا اینکه دهه ۱۹۹۰ فرا رسید. مکانیزم معکوس سازی مغناطیسی کردن در ذرات تک حوزه سوزنی شکل ( با طول نوعاً ۳/۰ و قطر Mm06/0) که عبارتند از دوران غیر منسجم اسپین‌ها ، مورد قبول واقع نشد.

در یک دسته بندی کلی حافظه‌هایی که در سیستم‌های الکترونیکی – استفاده می‌شوند به دو نوع حافظه‌های مغناطیسی (مثل فلاپی دیسک‌ها و دیسک‌های سخت ) و نیمه‌هادی تقسیم می‌شوند.

حافظه‌های نیمه‌هادی که بر خلاف حافظه‌های مغناطیسی فاقد اجزای متحرک و مکانیکی هستند از آرایه‌هایی از سلول‌های حافظه تشکیل شده اند که این آرایه‌ها بسته به نوع حافظه از تعدادی عنصر الکترونیکی مثل ترانزیستور و خازن تشکیل شده اند.

این نوع حافظه‌ها به سه دسته کلی به نام RAM , ROM و Hybrid که ترکیبی از دو نوع اول می‌باشند ، تشکیل شده اند.

[۱] – stainless steel

منابع ومآخذ

  1. M.Baibich et al.,Phys. Rev. Left. 61,2472(1988).
  2. Wall Street Journal , 10 November 1997,p.B8.
  3. M.Dax , Semi cond. Int. 20 (no.10) , 84 (1977).
  4. R.J.Soulen Jr. et al. , Science 282,85(1998).
  5. C.Tang et al , LEEE Trans. Magn. 30,3801 (1994).
  6. R.E. Scheuerlein , paper presented at the I EEE lnternational Conference on Nonvolatile memorg Technologg , Albuquerque , NM,22 to 24 June (1998).
  7. M. Julliere , Phys. Lett. Lett. A 54,225 (1975).
  8. J. Modera , L. Kinder , T.Wong and R.Meserrey , Phys. Rev , Left. 74,3273 (1995).
  9. Z.W.Dong et al., Appl. Phys. Left. 71 , 1718(1997).
  10. .D.J. Monsma , J.C.Lodder , T.J.A.Popma and B.Dieny , Phys. Rev. Left. 74 , 5260 (1995).
  11. J.Nitta , T.Akazaki , H.Takayanagi and T.Enoki , ibid. 78 , 1335 (1997)
  12. M.Baibich , J.M.Broto , A.Fert , F.N.Guyen Van Dau , F. Pettroff , P.Etienne , G.Greuzet and A.Friederich , Phy. Rev. Left 61 (1988) 2472.
  13. P.Grunberg.R.Schreiber , Y.Pang , M.B.Brodsky and H.Sowers , Phys. Rev. Left. 57 , 2442 (1986).
  14. R.Schad , C.D.Potter , P.Belien , G.Verbanck , V.V Moshchalkov and Y.Bruynseraede , Appl. Phys. Left 64 , 6500 (1994).
  15. A.Barthelerny , A.Fert. and F.Petroff , Hand book of magnetic materials , vol. 12, Elsvier , Amster, Amsterdom, (1999) , pp.1-96
  16. .D.H.Mosca,F.Petroff , A.Fert , P.A.Schroeder , W.P.Pratt , R.Loloee and J.Magn. Magn.Mater. 94,L1(1991).
  17. J.Barnas , A.Fass , R.E.Camley , P.Granberg and W.Zinn , Phys. Rev.B 42, 8110 (1990).
  18. B.Dieny , V.S.Speriosu , S.S.P.Parkin , B.A. Gurney , D.R.Wilhoit and D.Mauri , Phys.Rev. B 43,1297 (1991).
  19. P.A.Schroeder,J.Bass , P.Holody , S.F.Lee,R. Loloee , W.P.Partt Jr.,Q. Yang , Magnetic Ultrathin Films , Multerials Research Society Symposium Proceedings , Vol.313,MRS , Pittsburg , PA,(1993), p.74
  20. A.Fert , L.Piraux and. J.Magn.Magn. Mat 200, 338 (1999). (Special issue).
  21. M.A.M. Gijs , M.T.Johnson , A.Reinders , P.E.Huisman , R.J.M van de Veer donk , S.K.J Lenczow ski and R.M.J. Gansewinkel , Appl. Phys. Left. 66,1839(1995).
  22. C.Vouille , A.Bar the lemy , A.Fert , P.A. Schroeder , S.H.Hsu , A.Reilly and R.Loloee , Phys. Rev , B60 , 6710 (1999)
  23. J.Slonczewski , J. Magn. Magn. Mater. 159 , 1(1996).
  24. J.Grollier , V.Cros , A.Hamzic , J.M. George , H. Jaffres , A.Fert , G.Faini , J.Ben Youssef and H.Legall , Appl. Phys. Left. 78 , 3663 (2001).
  25. A.Katine et al , Phys. Rev. Left. 84,3149 (2000) , F.J. Ablert , J.A. Katine , R.A. Burhman and D.C. Ralph , Appl. Phys. Left 77,3809 (2000).
  26. A.Fert , A.Barthe lemy , J.Ben Youssef , J-P.Contour , V.Cros , J.M. De Teresa , A.Hamzix , J.M.George , G.Faini , J.Grollier , H. Jaffres , H. Le Gall , F. Montaigne , F. Paillouz and F. Petroff , Master. sci. Eng. B 84 (2001) 1-9.
  27. T.Valet. and A.Fert , Phys. Rev. B 48,7099 (1993).
  28. J.Moodera , L.R.Kinder , R.M. Wong and R. Meservey , Phys. Rev. Left. 74 , 3273 (1995).
  29. J. Nassar. M.ltehn , A.Voures , F.Petroff and A.Fert , Appl. Phys. Left. 73,698(1998).
  30. R. Julliere, Phys. Left. A54 , 225 (1975)
  31. J. Nassar , M.Viret , M.Drouet , J.P. Contour , C.Fermon and A.Fert , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 494 , 231(1998).
  32. D.C.Worledge. and T.H.Geballe,Appl.Phys. Left. 76,900(2000).
  33. R.Meservey. and P.M.Tedrow , Phys. Rep. 238, 173 (1994).
  34. D.Nguyen – Mahn , E.Y.Tsymbal , D.G.Pettifor , C.Arcangeli , R.Tank , O.K. Andersen and A. Pasturel , Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 492,319(1998).
  35. I.I.Oleinik , E.Y.Tsymbal and D.G.Pettifor , Phys. Rev. B 62, 3952 (2000).
  36. I.I.Oleinik , E.Y.Tsymbal and D.G.Pettifor , Phys. Rev.B 65 , 020401R (2001)
  37. انواع جدید در واقع (و یا از لحاظ فنی)، دسترسی اتفاقی نیستند ، چون اطلاعات آنها به ترتیب خوانده می‌شود ولی اکنون نام مرسوم شده است.
  38. ابداع شده است Hitting the Memory Wall این اصطلاح در
  39. Shadow حافظه دسترسی اتفاقی (HTML).Retrived on 2007 -70-24.
  40. http:// www.thic.org/pdf/Ju103/nist.skaka.030722.pdf
  41. Samsung (2007-01-03). SAMSUNG Samples First 50- nanometer 16Gb NAND Flash for Solid State Disk and Other High-density Applications. Press release. Retrived on 2007-01-03.
  42. SBIR Phase I:Zero – Remanence Tamper – Responsive Cryptokey Memory.
  43. NEC Corporation (2006-02-07). Toshiba and NEC Develop World,s Fastest , Highest Density MRAM. Press release. Retrieved on 2006- 07-10
  44. Freescale Semi conductor (2006-07-10). Freescale Leads Industry in Commercializing MRAM Technologg.Press release. Retrieved on 2006-07-10.
  45. صفحه ۶ کتابچه راهنمای طراحی و کاربرد حافظه‌های نوری ، ۱۹۹۳ شرکت توشیبا

فصول مربوط به مدارهای دیجیتالی ترکیبی و مدارهای دیجیتالی ترتیبی در میلمن و گرابل سازنده میکرو الکترونیک‌ها.

فرمت : قابل ویرایش | WORD | صفحات : ۱۳۹

*********************************************

نکته : فایل فوق قابل ویرایش می باشد

برای خرید اطلاعات خود را وارد کنید
  • کلیه پرداخت های سایت از طریق درگاه بانک سامان انجام می گیرد.هر مرحله از خرید می توانید مشکل خود را با پشتیبان و فرم تماس با ما در جریان بگذارید در سریعترین زمان ممکن مشکل برطرف خواهد شد
  • پس از پرداخت وجه ، فایل محصول هم قابل دانلود می باشد و هم به ایمیل شما ارسال می گردد .
  • آدرس ایمیل را بدون www وارد نمایید و در صورت نداشتن ایمیل فایل به تلگرام شما ارسال خواهد شد .
  • در صورت داشتن هرگونه سوال و مشکل در پروسه خرید می توانید با پشتیبانی سایت تماس بگیرید.
  • پشتیبان سایت با شماره 09383646575 در هر لحظه همراه و پاسخگوی شماست
  • 0

    اشتراک گذاری مطلب

    راهنما

    » فراموش نکنید! بخش پشتیبانی مقاله آنلاین ، در همه ساعات همراه شماست

    اطلاعات ارتباطی ما پست الکترونیکی: Article.university@gmail.com

    تماس با پشتیبانی+ ایدی تلگرام 09383646575

    برای سفارشتان از سایت ما کمال تشکر را داریم.

    از اینکه ما را انتخاب نمودید متشکریم.

    معادله فوق را حل نمایید *

    تمام حقوق مادی , معنوی , مطالب و طرح قالب برای این سایت محفوظ است